Sinai西奈MOS管
  1. Sinai西奈MOS管
  2. Sinai-Power 是一家位于大中华区,快速成长的功率场效应管制造商(ODM),从事电源管理相关产品的方案开发、产
  3. 2017-05-10   上海市区
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P沟道中压大电流MOS
  1. P沟道中压大电流MOS
  2. P沟道中压大电流MOS型号沟道VDS(Max)VGSVTH(Typ)ID(Max)IDMRDS(on)(Max)封装直接替代型号HM30P02KP沟道-20V
  3. 2017-04-06   广东深圳
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AO4485 AO4485L 进口原装现货
  1. AO4485 AO4485L 进口原装现货
  2. 深圳市中泰晶源电子有限公司AOS产品广泛应用于E-bike、PDVD、DSC、PMP/MP3、VGA显卡、STB机顶盒、主板、锂电
  3. 2016-01-12   广东深圳
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AO4410 AO4410L全新进口原装现货
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  3. 2016-01-12   广东深圳
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AO3416全新进口原装现货
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  3. 2016-01-12   广东深圳
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AO3407A全新进口原装现货
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  3. 2016-01-12   广东深圳
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广东原装优势供应 场效应管MOS管IRF9640NS
  1. 广东原装优势供应 场效应管MOS管IRF9640NS
  2. 封装外形: LLCC/无引线陶瓷片载 型号: IRF9640NS 用途: MIX/混频 品牌: IR/国际整流器 沟道类型: P沟道 种类: 结型(JFET) 导电方式: 增强型
  3. 2013-05-06   广东深圳
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广东ST380CH06C0原装正品
  1. 广东ST380CH06C0原装正品
  2. 品牌: IR/国际整流器 型号: ST380CH06C0 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: AM/调幅 封装外形: CHIP/小型片状 材料: ALGaAS铝镓砷 开启电压: 600(V) 夹断电压: 1200(V) 跨导: 10(μS) 极间电容: 120(pF)
  3. 2013-04-09   广东深圳
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广东2012+全新原装深圳房间现货TOSHIBA品牌MOS场效应管SSM3J36MFV
  1. 广东2012+全新原装深圳房间现货TOSHIBA品牌MOS场效应管SSM3J36MFV
  2. 封装外形: P-DIT/塑料双列直插 型号: SSM3J36MFV 材料: GaAS-FET砷化镓 用途: HF/高频(射频)放大 品牌: TOSHIBA/东芝 沟道类型: P沟道 种类: 结型(JFET) 导电方式: 耗尽型
  3. 2013-04-09   重庆市
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广东三极管全新原装现货特价出售仙童FQPF7N60C
  1. 广东三极管全新原装现货特价出售仙童FQPF7N60C
  2. 品牌: FAIRCHILD/仙童 型号: FQP7N60C FQPF7N60C 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 耗尽型 用途: CC/恒流 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: P-FET硅P沟道 开启电压: 600(V) 夹断电压: 300(V) 跨导: 1(μS) 极间电容: 1(
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广东自家现货供应全系列 场效应管
  1. 广东自家现货供应全系列 场效应管
  2. 材料: P-FET硅P沟道 质优价廉: 上机保证 种类: 结型(JFET) 型号: 2SJ240 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 品牌: Hitachi/日立 用途: L/功率放大 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 大中小功率三极管: 自家现货
  3. 2013-04-09   重庆市
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广东东莞市信纳电子有限公司销售场效应管 集成IC
  1. 广东东莞市信纳电子有限公司销售场效应管 集成IC
  2. 品牌: AEL英德半导体器件 型号: IRF系列   FDN、FDV系列  2SK、2SJ系列 APM系列 RD系列 RA系列 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 耗尽型 用途: SW-REG/开关电源 封装外形: SMD(SO)/表面封装
  3. 2013-04-09   广东东莞
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广东场效应管FDN360P FDN360
  1. 广东场效应管FDN360P FDN360
  2. 品牌: FAIRCHILD/仙童 型号: FDN360P 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: ZF/中放 封装外形: WAFER/裸芯片 材料: SIT静电感应 开启电压: 其他(V) 夹断电压: 其他(V) 跨导: 其他(μS) 极间电容: 其他(pF) 低频噪声系
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广东特价供应场效应管 MOS管 P沟道MOS管
  1. 广东特价供应场效应管 MOS管 P沟道MOS管
  2. 规格参数 导电方式:增强型 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 品牌:FL 用途:SW-REG/开关电源 材料:P-FET硅P沟道 型号:FL9435 封装外形:SMD(SO)/表面封装
  3. 2013-04-09   广东
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广东全系列MOS管 供应原装场效应APM4050APU/APM4050
  1. 广东全系列MOS管 供应原装场效应APM4050APU/APM4050
  2. 封装外形: SMD(SO)/表面封装 型号: APM4050APU 材料: P-FET硅P沟道 用途: MOS-ARR/陈列组件 品牌: APM/茂达 沟道类型: P沟道 种类: 结型(JFET) 导电方式: 耗尽型
  3. 2013-04-09   广东深圳
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广东MOS管SI2305/2305
  1. 广东MOS管SI2305/2305
  2. 规格参数 最大耗散功率:.(mW) 最大漏极电流:..(mA) 低频噪声系数:.(dB) 极间电容:.(pF) 低频跨导:.(μS) 夹断电压:.(V) 开启电压:.(V) 材料:IGBT绝缘栅比极 封装外形:SMD(SO)/表面封装 用途:数码产品 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 型号:SI2305 品牌:TF
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广东特价供应整流桥堆ABS8 ABS10
  1. 广东特价供应整流桥堆ABS8 ABS10
  2. 品牌: 台产 型号: ABS10 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: CC/恒流 封装外形: SMD(SO)/表面封装 材料: N-FET硅N沟道
  3. 2013-04-09   重庆市
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广东拆机场效应管 120N06 价格便宜
  1. 广东拆机场效应管 120N06 价格便宜
  2. 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 型号: 120N06 材料: GE-P-FET锗P沟道 用途: SW-REG/开关电源 品牌: 进口拆机 沟道类型: P沟道 种类: 结型(JFET) 导电方式: 增强型
  3. 2013-04-09   重庆市
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厦门MOS-P P沟道达林顿管场效应管
  1. 厦门MOS-P P沟道达林顿管场效应管
  2. 品牌: 国产 型号: MOS-P LY5801 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: S/开关 封装外形: CHIP/小型片状 材料: GE-P-FET锗P沟道 开启电压: /(V) 夹断电压: /(V) 极间电容: /(pF) 低频噪声系数: /(dB) 最大漏极电流:
  3. 2013-04-09   福建厦门思明
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广东【场效应管】IRFR9310
  1. 广东【场效应管】IRFR9310
  2. 批号: 10+ 材料: N-FET硅N沟道 种类: 结型(JFET) 类型: 其他IC 型号: IRFR9310 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 品牌: IR/国际整流器 用途: HF/高频(射频)放大 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 封装: TO-252
  3. 2013-04-09   广东
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广东MOSFET管SI2301
  1. 广东MOSFET管SI2301
  2. 规格参数 最大耗散功率:4(mW) 最大漏极电流:46(mA) 低频噪声系数:44(dB) 极间电容:22(pF) 跨导:322(μS) 夹断电压:44(V) 开启电压:45(V) 材料:GaAS-FET砷化镓 封装外形:CHIP/小型片状 用途:MOS-FBM/全桥组件 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 型号:SI2301 品牌:AO
  3. 2013-04-09   广东深圳
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广东PMBFJ177  NXP/恩智浦高频管IC
  1. 广东PMBFJ177 NXP/恩智浦高频管IC
  2. 材料: P-FET硅P沟道 种类: 结型(JFET) 类型: 其它 型号: PMBFJ177 封装外形: SMD(SO)/表面封装 品牌: NXP/恩智浦 用途: A/宽频带放大 沟道类型: P沟道 导电方式: 耗尽型 封装: SOT-23
  3. 2013-04-09   重庆市
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广东场效应管 特价热卖2SK1020
  1. 广东场效应管 特价热卖2SK1020
  2. 品牌: FUJI/富士通 型号: 2SK1020 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: ZF/中放 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: GE-P-FET锗P沟道 开启电压: 标准(V) 夹断电压: 标准(V) 跨导: 标准(μS) 极间电容: 标准(pF) 低
  3. 2013-04-09   广东深圳
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厦门MOS-P P沟道达林顿管场效应管
  1. 厦门MOS-P P沟道达林顿管场效应管
  2. 品牌: 国产 型号: MOS-P LY5801 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: S/开关 封装外形: CHIP/小型片状 材料: GE-P-FET锗P沟道 开启电压: /(V) 夹断电压: /(V) 跨导: /(μS) 极间电容: /(pF) 低频噪声系数:
  3. 2013-04-09   福建厦门
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广东IRF3707ZPBF 原装正品.场效应管(MOSFET)
  1. 广东IRF3707ZPBF 原装正品.场效应管(MOSFET)
  2. 类型: 其他IC 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 型号: IRF3707ZPBF 批号: 07+ 品牌: IR(International Rectifier) 沟道类型: P沟道 种类: 结型(JFET) 导电方式: 耗尽型 封装: TO-220
  3. 2013-04-09   广东汕头
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广东代理直销 AO3401 低压MOS管
  1. 广东代理直销 AO3401 低压MOS管
  2. 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 型号: AO3401 材料: GE-N-FET锗N沟道 用途: MOS-ARR/陈列组件 品牌: AO 沟道类型: P沟道 种类: 结型(JFET) 导电方式: 增强型
  3. 2013-04-09   广东
  4.    深圳市福田区民信达微电子经营部  [免费会员]
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广东贴片场效应管AO6601 结型场效应管(P沟道)
  1. 广东贴片场效应管AO6601 结型场效应管(P沟道)
  2. 品牌: Alpha/阿尔法 型号: AO6601 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 增强型 用途: MOS-ARR/陈列组件 封装外形: SMD(SO)/表面封装 材料: P-FET硅P沟道 开启电压: 8(V) 夹断电压: 8(V) 跨导: 8(μS) 极间电容: 8(pF) 低
  3. 2013-04-09   广东深圳
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东莞特价现货供应 场效应管CET9435
  1. 东莞特价现货供应 场效应管CET9435
  2. 规格参数 最大耗散功率:10(mW) 最大漏极电流:20(mA) 低频噪声系数:50(dB) 极间电容:20(pF) 低频跨导:20(μS) 夹断电压:1(V) 开启电压:2(V) 材料:P-FET硅P沟道 封装外形:SMD(SO)/表面封装 用途:MOS-ARR/陈列组件 导电方式:耗尽型 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 型号:CET9435 品牌:CET/华瑞
  3. 2013-03-23   广东东莞
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东莞VISHAY MOS管 原装进口
  1. 东莞VISHAY MOS管 原装进口
  2. 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 型号: VISHAY MOS管 原装进口 SISA18DN 材料: GE-P-FET锗P沟道 用途: MIN/微型 品牌: Vishay/威世通 沟道类型: P沟道 种类: 结型(JFET) 导电方式: 耗尽型
  3. 2013-03-23   广东东莞
  4.    东莞市云算达电子科技有限公司  [免费会员]
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贴片场效应管SI2301DS
  1. 贴片场效应管SI2301DS
  2. 规格参数 材料:MES金属半导体 封装外形:SMD(SO)/表面封装 用途:A/宽频带放大 导电方式:增强型 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 型号:SI2301DS,SI2303ADS-T1-E3 品牌:SI/VISHAY
  3. 2013-03-23   重庆市
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原装场效应管.IRF9540N.IRF540N
  1. 原装场效应管.IRF9540N.IRF540N
  2. 品牌: IR/国际整流器 型号: IRF9540N.IRF540N 种类: 结型(JFET) 沟道类型: P沟道 导电方式: 耗尽型 用途: DC/直流 封装外形: CHIP/小型片状 材料: P-FET硅P沟道
  3. 2013-03-23   广东广州
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供应场效应 ON一系列型号欢迎来电咨询,诚信经营
  1. 供应场效应 ON一系列型号欢迎来电咨询,诚信经营
  2. 深圳市华能盛电子是一家从事经营销售二三极管,钽电容,电容电阻 ,磁珠电感等电...
  3. 2013-04-07   广东深圳
  4.    深圳市福天区新亚洲电子市场二期华能盛电子经营部  [认证会员]
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供应场效应管IRFZ24/ IRFZ24NPBF
  1. 供应场效应管IRFZ24/ IRFZ24NPBF
  2. 本公司 诚接配套业务经营范围如下: ■■■■■■...
  3. 2013-04-09   广东深圳
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